概要信息：

目　录
第十四章　二极管和晶体管 （１）
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第十五章　基本放大电路 （１５）
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第十六章　集成运算放大器 （４３）
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第十七章　电子电路中的反馈 （５５）
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第十八章　直流稳压电源 （６５）
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第二十章　门电路和组合逻辑电路 （７２）
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第二十一章　触发器和时序逻辑电路 （８７）
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第十四章　二极管和晶体管
本章重点和难点
本章的主要题型为选择、填空、判断器件类型及二极管的应用电路分析
重要的术语和概念：本征半导体、杂质半导体，载流子、ＰＮ结、单向导电性、反向击穿、稳压、整流、
限幅、放大
器件：二极管、稳压二极管、晶体管的结构及参数
性质：单向导电性、稳压特性、电流放大作用
应用：二极管在整流、稳压、限幅等方面的应用
难点：ＰＮ结的单向导电性
二极管应用电路分析
晶体管的电流分配与放大作用
考点１：半导体的基本概念及导电特性
１．半导体导电特性
１）本征半导体
完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。
　　　　　　　　晶体中原子的排列方式　　　　　　　 硅单晶中的共价健结构
共价键中的两个电子，称为价电子。
２）本征半导体的导电机理
价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负
电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。
—１—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
这一现象称为本征激发。
温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。
在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相
当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流
（１）自由电子作定向运动
!
电子电流
（２）价电子递补空穴
!
空穴电流
自由电子和空穴都称为载流子。
自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态
平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。
注意：
（１）本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差；
（２）温度愈高，载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能
影响很大。
３）Ｎ型半导体和Ｐ型半导体
在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），形成杂质半导体。
掺入五价元素
掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体
或Ｎ型半导体。
在Ｎ型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
掺入三价元素
掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 Ｐ型半
导体。
—２—
在 Ｐ型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
无论Ｎ型或Ｐ型半导体都是中性的，对外不显电性。
１．在杂质半导体中多子的数量与 　 ａ　 （ａ．掺杂浓度、ｂ．温度）有关。
２．在杂质半导体中少子的数量与　ｂ　 （ａ．掺杂浓度、ｂ．温度）有关。
３．当温度升高时，少子的数量　ｃ　 （ａ．减少、ｂ．不变、ｃ．增多）。
４．在外加电压的作用下，Ｐ型半导体中的电流主要是　ｂ　 ，Ｎ型半导体中的电流主要是　ａ　 。
（ａ．电子电流、ｂ．空穴电流）
考点２：二极管单向导电性及其应用电路分析
ＰＮ结及其单向导电性
扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。
ＰＮ结加正向电压（正向偏置）
Ｐ接正、Ｎ接负
内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。
ＰＮ结加正向电压时，ＰＮ结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，ＰＮ结处于导通状态。
ＰＮ结加反向电压（反向偏置）
—３—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
Ｐ接负、Ｎ接正
内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。
ＰＮ结加反向电压时，ＰＮ结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，ＰＮ结处于截止状态。
温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
二极管的结构示意图
伏安特性
特点：非线性
二极管的参数
１．最大整流电流 ＩＯＭ
二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。
２．反向工作峰值电压ＵＲＷＭ
是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压ＵＢＲ的一半或三分之
二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。
３．反向峰值电流ＩＲＭ
指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，ＩＲＭ受温度
的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几
百倍。
二极管单向导电性
１．二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时，二极管处于正向导通状态，二极管正
向电阻较小，正向电流较大。
２．二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时，二极管处于反向截止状态，二极管反
—４—
向电阻较大，反向电流很小。
３．外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。
４．二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。
二极管电路的分析方法
二极管电路分析
定性分析：判断二极管的工作状态
导通{截止
若二极管是理想的：正向导通时正向管压降为零，相当于短路，反向截止时二极管电流为零，相当
于断开。
否则，正向管压降
硅０．６～０．７Ｖ
锗{ ０．２～０．３Ｖ
分析方法：
将二极管从电路中断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压ＵＤ的正负。
若 Ｖ阳 ＞Ｖ阴或 ＵＤ为正（正向偏置 ），二极管导通
若 Ｖ阳 ＜Ｖ阴或 ＵＤ为负（反向偏置 ），二极管截止
二极管应用电路分析
【例１】　
电路如图，求：ＵＡＢ
取 Ｂ点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。
Ｖ阳 ＝－６Ｖ，Ｖ阴 ＝－１２Ｖ，Ｖ阳 ＞Ｖ阴二极管导通
若忽略管压降，二极管可看作短路，ＵＡＢ＝－６Ｖ，否则，ＵＡＢ低于 －６Ｖ一个管压降，为 －６．３Ｖ（锗
管）或－６．７Ｖ（硅管）
【例２】　 求：ＵＡＢ
两个二极管的阴极接在一起，取 Ｂ点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。
—５—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
Ｖ１阳 ＝－６Ｖ，Ｖ２阳 ＝０Ｖ，Ｖ１阴 ＝Ｖ２阴 ＝ －１２Ｖ
ＵＤ１＝６Ｖ，ＵＤ２＝１２Ｖ　　
∵ ＵＤ２＞ＵＤ１　　∴ Ｄ２优先导通，Ｄ１截止。
若忽略管压降，二极管可看作短路，ＵＡＢ＝０Ｖ
流过 Ｄ２的电流为
ＩＤ２ ＝
１２
３ ＝４ｍＡ
Ｄ１承受反向电压为－６Ｖ
【例３】　 已知：ｕｉ＝１８ｓｉｎωｔＶ
二极管是理想的，试画出 ｕｏ波形。
二极管阴极电位为 ８Ｖ。
ｕｉ＞８Ｖ，二极管导通，可看作短路　　ｕｏ＝８Ｖ
ｕｉ＜８Ｖ，二极管截止，可看作开路　　ｕｏ＝ｕｉ
二极管的用途：整流、检波、限幅、钳位、开关、元件保护、温度补偿等。
考点３：稳压管串联稳压电路
稳压二极管
１．符号
—６—
２．伏安特性
稳压管正常工作时加反向电压
稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳
压作用。
使用时要加限流电阻
３．主要参数
（１）稳定电压ＵＺ
稳压管正常工作（反向击穿）时管子两端的电压。
（２）电压温度系数
"ｕ
环境温度每变化１℃引起稳压值变化的百分数。
（３）动态电阻
ｒＺ ＝
ΔＵＺ
ΔＩＺ
ｒＺ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。
（４）稳定电流 ＩＺ、最大稳定电流 ＩＺＭ
（５）最大允许耗散功率　 ＰＺＭ＝ＵＺＩＺＭ
稳压管典型应用
串联稳压电路
稳压条件：ＵＩ＞ＵＺ，ＩＺ ＜ＩＺｍａｘ
符合稳压条件时：Ｉ１ ＝
ＵＩ－ＵＺ
Ｒ１
，ＩＺ ＝Ｉ１－Ｉ２ ＝
ＵＩ－ＵＺ
Ｒ１
－
ＵＺ
Ｒ２
考点４：晶体管的参数计算及选型
晶体管基本结构
—７—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
ＮＰＮ型晶体管
ＰＮＰ型晶体管
结构特点
晶体管电流分配与放大原理
电流分配和放大原理
三极管具有电流放大作用的外部条件
发射结正偏、集电结反偏
从电位的角度看：
　　　　　　　　 ＮＰＮ　　　
发射结正偏　　　ＶＢ＞ＶＥ
集电结反偏　　　ＶＣ＞ＶＢ　
　　　　　　　　ＰＮＰ
发射结正偏　　　ＶＢ＜ＶＥ
—８—
集电结反偏　　　ＶＣ＜ＶＢ
各电极电流关系及电流放大作用
设 ＥＣ＝６Ｖ，改变可变电阻 ＲＢ，则基极电流 ＩＢ、集电极电流 ＩＣ和发射极电流 ＩＥ都发生变化，测量
结果如下表：
ＩＢ（ｍＡ） ０ ０．０２ ０．０４ ０．０６ ０．０８ ０．１０
ＩＣ（ｍＡ） ＜０．００１ ０．７０ １．５０ ２．３０ ３．１０ ３．９５
ＩＥ（ｍＡ） ＜０．００１ ０．７２ １．５４ ２．３６ ３．１８ ４．０５
晶体管的电流放大作用
（１）ＩＥ＝ＩＢ＋ＩＣ符合基尔霍夫定律
（２）ＩＣＩＢ，ＩＣ#ＩＥ
（３）
$
ＩＣ $
ＩＢ
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。　　
实质：用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是ＣＣＣＳ器件。
（４）要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。
电流方向和发射结与集电结的极性
—９—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
电流关系
ＩＣ＝ＩＣＥ＋ＩＣＢＯ#ＩＣＥ
ＩＢ＝ＩＢＥ－ＩＣＢＯ#ＩＢＥ
ＩＣＥ与 ＩＢＥ之比称为共发射极电流放大倍数
β＝
ＩＣＥ
ＩＢＥ
＝
ＩＣ－ＩＣＢＯ
ＩＢ＋ＩＣＢＯ
≈
ＩＣ
ＩＢ
ＩＣ ＝βＩＢ＋（１＋β）ＩＣＢＯ ＝βＩＢ＋ＩＣＥＯ
若ＩＢ＝０，则ＩＣ#ＩＣＥ０
集－射极穿透电流，温度
%!
ＩＣＥＯ%
忽略ＩＣＥＯ，有 ＩＣ≈β
－
ＩＢ（常用公式）
晶体管共射特性曲线
特性曲线
即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性
能，是分析放大电路的依据。
为什么要研究特性曲线：
（１）直观地分析管子的工作状态
（２）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路
重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线
测量晶体管特性的实验线路
共发射极电路
发射极是输入回路、输出回路的公共端
输入特性曲线ＩＢ ＝ｆ（ＵＢＥ）ＵＣＥ＝常数
正常工作时发射结电压：　
—０１—
ＮＰＮ型硅管
ＵＢＥ#０．６～０．７Ｖ
ＰＮＰ型锗管
ＵＢＥ#&０．２～&
０．３Ｖ
输出特性ＩＣ ＝ｆ（ＵＣＥ）ＩＢ＝常数
在不同的 ＩＢ下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线。
３ＤＧ１００晶体管的输出特性曲线　
共发射极电路
晶体管有三种工作状态，对应于输出特性曲线三个工作区
３ＤＧ１００晶体管的输出特性曲线
（１）放大状态，工作于放大区
—１１—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
在放大区 ＩＣ＝'
ＩＢ，也称为线性区，具有恒流特性。
在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。
对 ＮＰＮ型管而言，应使 ＵＢＥ＞０，ＵＢＣ＜０此时，ＵＣＥ＞ＵＢＥ。
（２）截止状态，工作于截止区
ＩＢ＝０的曲线以下的区域称为截止区。
ＩＢ＝０时，ＩＣ＝ＩＣＥＯ（很小）。（ＩＣＥＯ＜０．００１ｍＡ）
对ＮＰＮ型硅管，当ＵＢＥ＜０．５Ｖ时，即已开始截止，为使晶体管可靠截止 ，常使 ＵＢＥ(０。截止时，
集电结也处于反向偏置（ＵＢＣ＜０），此时，
ＩＣ#０，ＵＣＥ#ＵＣＣ。
（３）饱和状态，工作于饱和区
在饱和区，
'
ＩＢ)ＩＣ，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。
深度饱和时：
硅管ＵＣＥＳ#０．３Ｖ，
锗管ＵＣＥＳ#０．１Ｖ。
ＩＣ#ＵＣＣ／ＲＣ。
当晶体管饱和时，ＵＣＥ#０，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶体管截
止时，ＩＣ#０，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大，可见，晶体管除了有放大作用
外，还有开关作用。
晶体管三种工作状态的电压和电流
—２１—
晶体管结电压的典型值
管型
工　　作　　状　　态
饱和 放大 截 止
ＵＢＥ／Ｖ ＵＣＥ／Ｖ ＵＢＥ／Ｖ
ＵＢＥ／Ｖ
开始截止 可靠截止
硅管（ＮＰＮ） ０．７ ０．３ ０．６～０．７ ０．５
(
０
锗管（ＰＮＰ）
&
０．３ －０．１
&
０．２～
&
０．３
&
０．１ ０．１
晶体管的参数
晶体管的主要参数
表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。
１．电流放大系数
'β
直流电流放大系数β＝
ＩＣ
ＩＢ
，交流电流放大系数β＝
ΔＩＣ
ΔＩＢ
注意：
β和'
的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ＩＣＥ０较小的情况下，两者数值接近。
由于晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有在特性曲线的近于水平部分，ＩＣ随 ＩＢ成正比变化，'
值才可认为是基本恒定的。
常用晶体管的
'
值在２０～２００之间。
２．集－基极反向截止电流 ＩＣＢＯ
ＩＣＢＯ是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。
温度
%!
ＩＣＢＯ%
３．集－射极反向截止电流（穿透电流）ＩＣＥＯ
ＩＣＥＯ受温度的影响大。
温度
%!
ＩＣＥＯ%，所以ＩＣ也相应增加。三极管的温度特性较差。
４．集电极最大允许电流 ＩＣＭ
集电极电流 ＩＣ上升会导致三极管的'
值的下降，当
'
值下降到正常值的三分之二时的集电极电流
—３１—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
即为 ＩＣＭ。
５．集－射极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＥＯ
当集—射极之间的电压ＵＣＥ超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是２５℃、
基极开路时的击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＥＯ。
６．集电极最大允许耗散功耗ＰＣＭ
ＰＣＭ取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。
ＰＣ≤ＰＣＭ＝ＩＣＵＣＥ
硅管允许结温约为１５０℃，锗管约为７０
*
９０℃。
晶体管的安全工作区
由三个极限参数可画出三极管的安全工作区
温度对晶体管参数的影响
１．温度每增加１０℃，ＩＣＢＯ增大一倍。硅管优于 锗管。
２．温度每升高１℃，ＵＢＥ将减小"
（２～２．５）ｍＶ，即晶体管具有负温度系数。
３．温度每升高 １℃，
'
增加 ０．５％～１．０％。
本章总结
１．半导体的导电特性
２．二极管的特性、等效模型及其分析方法
３．稳压管的特性及典型应用电路
４．三极管的电流关系、伏安特性及工作状态分析。
—４１—
第十五章　 基本放大电路
本章重点和难点
重点：
共射放大电路、射极输出器的组成，静态、动态分析，静态工作点的稳定，放大电路的失真，多级放
大电路，差动放大电路，互补推挽功率放大电路
难点：
微变等效电路分析法，放大电路的参数计算与性能分析，多级放大电路，差动放大电路
考点１：基本放大电路的静态、动态分析
一、共射放大电路的组成
共发射极基本电路
晶体管Ｔ－放大元件，ｉＣ＝'ｉＢ。要保证集电结反偏，发射结正偏，使晶体管工作在放大区 。
基极电源ＥＢ与基极电阻ＲＢ－使发射结处于正偏，并提供大小适当的基极电流。
集电极电源ＥＣ－为电路提供能量。并保证集电结反偏。
集电极电阻ＲＣ－将变化的电流转变为变化的电压。
耦合电容Ｃ１、Ｃ２－隔离输入、输出与放大电路直流的联系，同时使信号顺利输入、输出。
—５１—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
二、共射放大电路的电压放大作用
无输入信号（ｕｉ＝０）时
ｕｏ＝０
ｕＢＥ＝ＵＢＥ
ｕＣＥ＝ＵＣＥ
（１）无输入信号电压时，三极管各电极都是恒定的
电压和电流：ＩＢ、ＵＢＥ和 ＩＣ、ＵＣＥ。
（ＩＢ、ＵＢＥ）和（ＩＣ、ＵＣＥ）分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点，称为静态工作点。
有输入信号（ｕｉ≠ ０）时
ｕＣＥ＝ＵＣＣ－ｉＣＲＣ
—６１—
ｕｏ+０
ｕＢＥ＝ＵＢＥ＋ｕｉ
ｕＣＥ＝ＵＣＥ＋ｕｏ
（２）加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了
一个交流量，但方向始终不变。
（３）若参数选取得当，输出电压可比输入电压大，即电路具有电压放大作用。
（４）输出电压与输入电压在相位上相差１８０°，即共发射极电路具有反相作用。
三、放大电路具有电压放大作用的条件　
（１）晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集电结反偏。
（２）正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大区。
（３）输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。
（４）输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集电极电压，经电容耦合只输出交流信号。
四、直流通路和交流通路　
因电容对交、直流的作用不同。在放大电路中如果电容的容量足够大，可以认为它对交流分量不
起作用，即对交流短路。而对直流可以看成开路。这样，交直流所走的通路是不同的。
直流通路：无信号时电流（直流电流）的通路，用来计算静态工作点。
交流通路：有信号时交流分量（变化量）的通路，用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动
态参数。
—７１—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
１．直流通路　
对直流信号电容 Ｃ可看作开路（即将电容断开）
直流通路用来计算静态工作点Ｑ（ＩＢ、ＩＣ、ＵＣＥ）
２．交流通路　
对交流信号（输入信号ｕｉ的交流分量），ＸＣ#０，Ｃ可看作短路。直流电压源对交流也可视为短路。
交流通路用来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等动态参数。
五、静态分析　
静态：放大电路无信号输入（ｕｉ＝０）时的工作状态。
静态分析：确定放大电路的静态值。
———静态工作点Ｑ：ＩＢ、ＩＣ、ＵＣＥ。
分析方法：估算法、图解法。
分析对象：各极电压电流的直流分量。
所用电路：放大电路的直流通路。
设置Ｑ点的目的：
（１）使放大电路工作在线性区；
（２）使放大电路具有较大的不失真动态范围。
六、静态分析 ———估算法
—８１—
１．直流通路估算 ＩＢ
由ＫＶＬ：　ＵＣＣ＝ＩＢＲＢ＋ＵＢＥ
所以ＩＢ ＝
ＵＣＣ－ＵＢＥ
ＲＢ
当ＵＢＥ ＵＣＣ时，ＩＢ≈
ＵＣＣ
ＲＢ
２．由直流通路估算ＵＣＥ、ＩＣ
根据电流放大作用
由ＫＶＬ：ＵＣＣ＝ＩＣＲＣ＋ＵＣＥ，ＩＣ ＝βＩＢ＋ＩＣＥＯ≈βＩＢ≈βＩＢ
所以　ＵＣＥ＝ＵＣＣ"ＩＣＲＣ
七、静态分析 ———图解法
用作图的方法确定静态值
优点：
能直观地分析和了解静态值的变化对放大电路的影响。
步骤：
１．用估算法确定ＩＢ
２．由输出特性确定ＩＣ和ＵＣＣ
ＵＣＥ＝ＵＣＣ" ＩＣＲＣ
ＩＣ ＝ｆ（ＵＣＥ）ＩＢ＝
{
常数
ＩＢ ＝
ＵＣＣ－ＵＢＥ
ＲＢ
ｔａｎα＝－１ＲＣ
，直流负载线斜率
—９１—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
八、动态分析　
动态：放大电路有交流信号输入（ｕｉ+０）时的工作状态。
动态分析：计算电压放大倍数Ａｕ、输入电阻ｒｉ、输出电阻ｒｏ等。
分析对象：各极电压和电流的交流分量。
分析方法：微变等效电路法，图解法。
所用电路：放大电路的交流通路。
目的：找出Ａｕ、ｒｉ、ｒｏ与电路参数的关系，为设计打基础。
１．动态分析 ———微变等效电路法
微变等效电路：
把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。即把非线性的晶体管线性化，等
效为线性元件。
线性化的条件：
晶体管在小信号（微变量）情况下工作。因此，在静态工作点附近小范围内的特性曲线可用直线
近似代替。
微变等效电路法：
利用放大电路的微变等效电路分析计算放大电路电压放大倍数Ａｕ、输入电阻ｒｉ、输出电阻ｒｏ等。
晶体管的微变等效电路可从晶体管特性曲线求出。
（１）输入回路
当信号很小时，在静态工作点附近的输入特性在小范围内可近似线性化。
晶体管的输入电阻ｒｂｅ＝
ΔＵＢＥ
ΔＩＢ ＵＣＥ
＝
ｕｂｅ
ｉｂ ＵＣＥ
晶体管的输入回路（Ｂ、Ｅ之间）可用ｒｂｅ等效代替，即由ｒｂｅ来确定ｕｂｅ和 ｉｂ之间的关系。
ｒｂｅ≈２００（Ω）＋（１＋β）
２６（ｍＶ）
ＩＥ（ｍＡ）
对于小功率三极管：ｒｂｅ一般为几百欧到几千欧。
（２）输出回路
—０２—
ｒｃｅ＝
ΔＵＣＥ
ΔＩＣ ＩＢ
＝ｕｃｅ
ｉｃ ＩＢ
输出特性在线性工作区是一组近似等距的平行直线。
晶体管的电流放大系数β＝ΔＩＣ
ΔＩＢ ＵＣＥ
晶体管的输出回路（Ｃ、Ｅ之间）可用一受控电流源ｉｃ＝'ｉｂ等效代替，即由'
来确定ｉｃ和 ｉｂ之间的关
系。
'
一般在２０～２００之间，在手册中常用ｈｆｅ表示。
晶体管的输出电阻，ｒｃｅ愈大，恒流特性愈好因ｒｃｅ阻值很高，一般忽略不计。
晶体三极管　　　　　　　　　　　　　微变等效电路
晶体管的Ｂ、Ｅ之间可用ｒｂｅ等效代替。
晶体管的Ｃ、Ｅ之间可用一受控电流源ｉｃ＝'ｉｂ等效代替。
２．放大电路的微变等效电路
将交流通路中的晶体管用晶体管微变等效电路代替即可得放大电路的微变等效电路。
３．微变等效电路的相量模型
当输入信号为正弦交流信号时，等效电路中的电压与电流可用相量表示。
—１２—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
电压放大倍数：Ａｕ ＝
Ｕ
·
ｏ
Ｕ
·
ｉ
输入电阻：ｒｉ＝
Ｕ
·
ｉ
Ｉ
·
ｉ
输出电阻：ｒｏ ＝
Ｕ
·
ｏ
Ｉ
·
ｏ
Ｅ
·
ｓ＝０
共射放大电路的动态参数计算
（１）电压放大倍数
定义：Ａｕ ＝
Ｕ
·
ｏ
Ｕ
·
ｉ
Ｕ
·
ｉ＝Ｉ
·
ｂｒｂｅ
Ｕ
·
ｏ ＝－Ｉ
·
ｃＲ′Ｌ ＝－βＩ
·
ｂＲ′Ｌ
Ａｕ ＝－β
Ｒ′Ｌ
ｒｂｅ
，Ｒ′Ｌ ＝ＲＣ／／ＲＬ
式中的负号表示输出电压的相位与输入相反。
（２）输入电阻
定义：ｒｉ＝
Ｕ
·
ｉ
Ｉ
·
ｉ
，则ｒｉ＝
Ｕ
·
ｉ
Ｉ
·
ｉ
＝ＲＢ‖ｒｂｅ≈ｒｂｅ
（３）输出电阻
—２２—
输出电阻是戴维宁等效电路的等效电阻，可用开短路法和外加电压源法求解。
（３）输出电阻
开短路法ｒｏ＝
Ｕ
·
ｏｃ
Ｉ
·
ｓｃ
外加电压源法ｒｏ＝
Ｕ
·
ｏ
Ｉ
·
ｏ
（３）输出电阻
Ｕ
·
ｏｃ＝－Ｉ
·
ｃＲ′Ｌ ＝－βＩ
·
ｂＲ′Ｌ
Ｉ
·
ｓｃ ＝－Ｉ
·
ｃ ＝－βＩ
·
ｂ
ｒｏ＝
Ｕ
·
ｏｃ
Ｉ
·
ｓｃ
＝ＲＣ
【例１】　在图示放大电路中，已知 ＵＣＣ＝１２Ｖ，ＲＣ＝３ｋΩ，ＲＥ１＝３００Ω，ＲＥ２＝２．７ｋΩ，ＲＢ＝
４４７ｋΩ，ＲＬ＝６ｋΩ，晶体管β＝５０，ＵＢＥ＝０．６Ｖ，试求：
（１）静态工作点 ＩＢ、ＩＣ及 ＵＣＥ；
（２）画出微变等效电路；
（３）输入电阻ｒｉ、ｒｏ及 Ａｕ。
—３２—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
解　（１）ＩＢ ＝
ＵＣＣ－ＵＢＥ
ＲＢ＋（１＋β）（ＲＥ１＋ＲＥ２）
＝ １２－０．６
４４７＋５１×３≈２０μＡ
ＩＣ ＝βＩＢ ＝１ｍＡ
ＵＣＥ ＝ＵＣＣ－ＩＣＲＣ－ＩＥ（ＲＥ１＋ＲＥ２）
＝１２－１×３－１×３
＝６Ｖ
直流通路
解　（２）
微变等效电路
（３）ｒｂｅ＝２００＋（１＋β）
２６
ＩＥ
＝＝１．５３ｋΩ
ｒｉ＝ＲＢ／／［ｒｂｅ＋（１＋β）ＲＥ１］
≈１５．３ｋΩ
ｒｏ ＝ＲＣ≈６ ｋΩ
Ａｕ ＝－
βＲ′Ｌ
ｒｂｅ＋（１＋β）ＲＥ１
　 ＝－６．５
动态分析———图解法
１．交流负载线
交流负载线反映动态时电流 ｉＣ和电压ｕＣＥ的变化关系。
—４２—
ｕｃｅ＝－ｉｃＲ′Ｌ
ｕＣＥ－ＵＣＥ ＝－ ｉＣ－Ｉ( )
Ｃ Ｒ′Ｌ
ｉＣ ＝ＩＣ－
１
Ｒ′Ｌ
ｕＣＥ－Ｕ( )
ＣＥ
交流负载线经过静态工作点Ｑ
斜率：ｔａｎα′＝－ １Ｒ′Ｌ
考点２：共射放大电路非线性失真
如果Ｑ设置不合适，晶体管进入截止区或饱和区工作，将造成非线性失真。
若Ｑ设置过高，晶体管进入饱和区工作，造成饱和失真。
适当减小基极电流可消除失真。
若Ｑ设置过低，晶体管进入截止区工作，造成截止失真。
适当增加基极电流可消除失真。
如果Ｑ设置合适，信号幅值过大也可产生失真，减小信号幅值可消除失真。
—５２—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
最大不失真输出信号动态范围
在不产生非线性失真的情况小输出信号的最大允许变化范围
ｍｉｎ｛ＵＣＥ－ＵＣＥＳ，（ＩＣ－ＩＣＥＯ）Ｒ′Ｌ｝
近似为：ｍｉｎ｛ＵＣＥ，ＩＣＲ′Ｌ｝
考点３：静态工作点的稳定
温度对静态工作点的稳定
在固定偏置放大电路中，当温度升高时，ＵＢＥ,、'%、ＩＣＢＯ%。
ＩＣ ＝βＩＢ＋ＩＣＥＯ
＝β
ＵＣＣ－ＵＢＥ
ＲＢ
＋（１＋β）ＩＣＢＯ
上式表明，当ＵＣＣ和 ＲＢ一定时，ＩＣ与ＵＢＥ、'以及 ＩＣＥＯ有关，而这三个参数随温度而变化。
温度升高时，ＩＣ将增加，使Ｑ点沿负载线上移。
当温度升高时，ＩＣ将增加，使Ｑ点沿负载线上移，容易使晶体管 Ｔ进入饱和区造成饱和失真，甚
至引起过热烧坏三极管。
固定偏置电路的工作点Ｑ点是不稳定的，为此需要改进偏置电路。当温度升高使 ＩＣ增加时，能
够自动减少ＩＢ，从而抑制Ｑ点的变化，保持Ｑ点基本稳定。
分压偏置电路稳定Ｑ点的原理
—６２—
若满足：Ｉ２ＩＢ
Ｉ１≈Ｉ２≈
ＵＣＣ
ＲＢ１＋ＲＢ２
ＶＢ ＝Ｉ２ＲＢ２
ＶＢ≈
ＲＢ２
ＲＢ１＋ＲＢ２
ＵＣＣ
基极电位基本恒定，不随温度变化。
稳定Ｑ点的原理
ＲＥ：引入直流负反馈，稳定ＩＣ
ＣＥ：引入ＣＥ使 ＲＥ只对直流通路起反馈作用，对交流通路无影响。
静态工作点的计算
ＶＢ≈
ＲＢ２
ＲＢ１＋ＲＢ２
ＵＣＣ
ＩＣ≈ＩＥ ＝
ＶＢ－ＵＢＥ
ＲＥ
ＩＢ≈
ＩＣ
β
ＵＣＥ ＝ＵＣＣ－ＩＣＲＣ－ＩＥＲＥ
＝ＵＣＣ－ＩＣ（ＲＣ＋ＲＥ）
动态分析
—７２—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
对交流：旁路电容 ＣＥ将ＲＥ短路，ＲＥ不起作用，Ａｕ，ｒｉ，ｒｏ与固定偏置电路相同。
考点４：放大电路的频率响应
阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发射极旁路电容及三极管的结电容等，它们的容抗随
频率变化，故当信号频率不同时，放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。
频率特性
幅频特性：电压放大倍数的模｜Ａｕ｜与频率 ｆ的关系
相频特性：输出电压相对于输入电压的相位移
-
与频率 ｆ{ 的关系
中频段：
耦合电容和旁路电容容抗很小，可视作短路，
极间电容和分布电容容抗很大，可视为开路。
放大倍数与频率无关。
低频段：
耦合电容和旁路电容容抗较中频段大，不能忽略。
极间电容和分布电容容抗较中频段更大，可视为开路。
电路呈高通特性
—８２—
高频段：
耦合电容和旁路电容容抗较中频段更小，可视为短路。
极间电容和分布电容容抗较中频段小，不能忽略。
电路呈低通特性
考点５：射极输出器
电路组成
对交流信号而言，集电极是输入与输出回路的公共端，称为共集电极放大电路。
因从发射极输出，所以称射极输出器。
静态分析
ＩＢ ＝
ＵＣＣ－ＵＢＥ
ＲＢ＋（１＋β）ＲＥ
　　　　　　　　　　　ＩＥ ＝（１＋β）ＩＢ，ＵＣＥ ＝ＵＣＣ－ＩＥＲＥ
动态分析
微变等效电路
—９２—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
１．电压放大倍数
Ｕ
·
ｏ＝Ｉ
·
ｅＲ′Ｌ ＝（１＋β）Ｉ
·
ｂＲ′Ｌ
Ｕ
·
ｉ＝Ｉ
·
ｂｒｂｅ＋Ｉ
·
ｅＲ′Ｌ ＝Ｉ
·
ｂｒｂｅ＋（１＋β）Ｉ
·
ｂＲ′Ｌ
Ｒ′Ｌ ＝ＲＥ／／ＲＬ
Ａｕ ＝
（１＋β）Ｉ
·
ｂＲ′Ｌ
Ｉ
·
ｂｒｂｅ＋（１＋β）Ｉ
·
ｂＲ′Ｌ
＝
（１＋β）Ｒ′Ｌ
ｒｂｅ＋（１＋β）Ｒ′Ｌ
电压放大倍数Ａｕ#１且输入输出同相，输出电压跟随输入电压，故称电压跟随器。
２．输入电阻
ｒｉ＝ＲＢ／／ｒ′ｉ
Ｒ′Ｌ ＝ＲＥ／／ＲＬ
ｒ′ｉ＝
Ｕ
·
ｉ
Ｉ
·
ｂ
＝
Ｉ
·
ｂｒｂｅ＋Ｉ
·
ｅＲＥ／／ＲＬ
Ｉ
·
ｂ
＝ｒｂｅ＋（１＋β）Ｒ′Ｌ
ｒｉ＝ＲＢ／／［ｒｂｅ＋（１＋β）Ｒ′Ｌ］
３．输出电阻
通常：（１＋β）ＲＥｒｂｅ＋Ｒ′ｓ
ｒｏ≈
ｒｂｅ＋Ｒ′ｓ
１＋β
Ｉ
·
＝
ＲＥ＋Ｉ
·
ｅ ＝
ＲＥ＋ １＋( )β
ｒｂｅ＋Ｒ′ｓ
ｒｏ ＝ＲＥ／／
ｒｂｅ＋Ｒ′ｓ
（１＋β）
，Ｒ′Ｓ ＝ＲＢ／／ＲＳ　
Ａｕ ＝
（１＋β）Ｒ′Ｌ
ｒｂｅ＋（１＋β）Ｒ′Ｌ
—０３—
ｒｉ＝ＲＢ／／［ｒｂｅ＋（１＋β）Ｒ′Ｌ］
ｒｏ≈
ｒｂｅ＋Ｒ′ｓ
１＋β
１．电压放大倍数小于１，约等于１；
２．输入电阻高；
３．输出电阻低；
４．输出与输入同相。
【例１】　在图示放大电路中，已知 ＵＣＣ＝１２Ｖ，ＲＥ＝２ｋΩ，ＲＢ＝２００ｋΩ，ＲＬ＝２ｋΩ，晶体管 β＝
６０，ＵＢＥ＝０．６Ｖ，信号源内阻ＲＳ＝１００Ω，试求：
（１）静态工作点 ＩＢ、ＩＥ及 ＵＣＥ；
（２）画出微变等效电路；
（３）Ａｕ、ｒｉ和 ｒｏ。
（１）由直流通路求静态工作点。
ＩＢ ＝
ＵＣＣ－ＵＢＥ
ＲＢ＋（１＋β）ＲＥ
＝ １２－０．６
２００＋（１＋６０）×２ｍＡ＝０．０３５ｍＡ
ＩＥ ＝（１＋β）ＩＢ
＝（１＋６０）×０．０３５ｍＡ
＝２．１４ｍＡ
ＵＣＥ ＝ＵＣＣ－ＩＥＲＥ
＝１２－２×２．１４Ｖ
＝７．７２Ｖ
直流通路
（２）由微变等效电路求Ａｕ、ｒｉ、ｒｏ。
—１３—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
微变等效电路
ｒｂｅ≈２００＋（１＋β）
２６
ＩＥ
＝２００＋６１× ２６１．２４Ω ＝０．９４ｋΩ
Ａｕ ＝
（１＋β）Ｒ′Ｌ
ｒｂｅ＋（１＋β）Ｒ′Ｌ
＝０．９８
ｒｉ＝ＲＢ／／［ｒｂｅ＋（１＋β）Ｒ′Ｌ］＝４１．７ｋΩ
ｒｏ≈
ｒｂｅ＋Ｒ′Ｓ
β
＝０．９４＋１００６０ Ω ＝１７．３Ω
考点６：多级放大电路
多级放大电路极间耦合方式
耦合方式：两级放大电路之间的连接方式
常用的耦合方式：直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。
对耦合电路的要求
静态：保证各级有合适的Ｑ点
动态：传送信号
波形不失真{{
减少压降损失
阻容耦合放大电路
两级之间通过耦合电容 Ｃ２与下级输入电阻连接
静态分析
由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互不相通，每级的静态工作点互相独立，互
不影响，可以各级单独计算。
—２３—
电压放大倍数Ａｕ ＝
Ｕ
·
ｏ
Ｕ
·
ｉ
＝
Ｕ
·
ｏ１
Ｕ
·
ｉ
Ｕ
·
ｏ
Ｕ
·
ｉ２
＝Ａｕ１Ａｕ２
Ｒ′Ｌ１ ＝ＲＣ１／／ｒｉ２，Ｒ′Ｌ２ ＝ＲＣ２／／ＲＬ，ｒｉ＝ｒｉ１
Ａｕ１ ＝
Ｕ
·
ｏ１
Ｕ
·
ｉ
＝－β１
Ｒ′Ｌ１
ｒｂｅ１
，Ａｕ２ ＝
Ｕ
·
ｏ
Ｕ
·
ｉ２
＝－β２
Ｒ′Ｌ２
ｒｂｅ２
，ｒｏ ＝ｒｏ２
【例１】　如图所示的两级电压放大电路，
已知β１＝β２＝５０，Ｔ１和Ｔ２均为３ＤＧ８Ｄ。
（１）计算前、后级放大电路的静态值（ＵＢＥ＝０．６Ｖ）；
（２）求放大电路的输入电阻和输出电阻；
（３）求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数。
解　 （１）两级放大电路的静态值可分别计算。
第一级是射极输出器：
ＩＢ１ ＝
ＵＣＣ－ＵＢＥ
ＲＢ１＋（１＋β）ＲＥ１
＝ ２４－０．６
１０００＋（１＋５０）×２７ｍＡ ＝９．８μＡＩＥ１＝（１＋β）ＩＢ１＝（１＋５０）×０．
００９８ｍＡ＝０．４９ｍＡ
ＵＣＥ ＝ＵＣＣ－ＩＥ１ＲＥ１ ＝２４－０．４９×２７Ｖ＝１０．７７Ｖ
第二级是分压式偏置电路
ＶＢ２ ＝
ＵＣＣ
Ｒ′Ｂ１＋Ｒ′Ｂ２
Ｒ′Ｂ２＝ ２４
８２＋４３×４３Ｖ＝８．２６Ｖ
ＩＣ２ ＝
ＵＢ２－ＵＢＥ２
Ｒ″Ｅ２＋Ｒ′Ｅ２
＝８．２６－０．６０．５１＋７．５ｍＡ＝０．９６ｍＡ
ＩＢ２ ＝
ＩＣ２
β２
＝０．９６５０ｍＡ＝１９．２μＡ
ＵＣＥ２ ＝ＵＣＣ－ＩＣ２（ＲＣ２＋Ｒ′Ｅ２＋Ｒ′Ｅ２）
＝２４－０．９６（１０＋０．５１＋７．５）Ｖ＝６．７１Ｖ
（２）计算 ｒｉ和 ｒ０
—３３—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
微变等效电路
ｒｂｅ２ ＝２００＋（１＋β）
２６
ＩＥ
＝２００＋５１ ２６０．９６Ω ＝１．５８ｋΩ
ｒｉ２ ＝Ｒ′Ｂ１／／Ｒ′Ｂ２／／［ｒｂｅ２＋（１＋β）Ｒ″Ｅ２］＝１４ｋΩ
Ｒ′Ｌ１ ＝ＲＥ１／／ｒｉ２ ＝
２７×１４
２７＋１４ｋΩ ＝９．２２ｋΩ
ｒｂｅ１ ＝２００＋（１＋β１）
２６
ＩＥ１＝２００＋（１＋５０）×
２６
０．４９＝３ｋΩ
ｒｉ＝ｒｉ１ ＝ＲＢ１／／［ｒｂｅ１＋（１＋β）Ｒ
′
Ｌ１］＝３２０ｋΩ
ｒｏ ＝ｒｏ２ ＝ＲＣ２ ＝１０ｋΩ
（３）求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数
Ａｕ１ ＝
（１＋β１）Ｒ′Ｌ１
ｒｂｅ１＋（１＋β１）Ｒ′Ｌ１
＝ （１＋５０）×９．２２
３＋（１＋５０）×９．２２＝０．９９４
Ａｕ２ ＝－β
ＲＣ２
ｒｂｅ２＋（１＋β２）Ｒ″Ｅ２
＝－５０× １０
１．７９＋（１＋５０）×０．５１＝－１８
Ａｕ ＝Ａｕ１×Ａｕ２ ＝０．９９４×（－１８）＝－１７．９
考点７：差分放大电路
直接耦合：将前级的输出端直接接后级的输入端。
可用来放大缓慢变化的信号或直流量变化的信号。
—４３—
直接耦合存在的两个问题：
（１）前后级静态工作点相互影响
（２）零点漂移，指输入信号电压为零时，输出电压发生缓慢地、无规则地变化的现象。
产生的原因：晶体管参数随温度变化、电源电压波动、电路元件参数的变化。
危害：直接影响对输入信号测量的准确程度和分辨能力。严重时，可能淹没有效信号电压，无法
分辨是有效信号电压还是漂移电压。
抑制零漂是制作高质量直接耦合放大电路的一个重要的问题。
由于不采用电容，所以直接耦合放大电路具有良好的低频特性。
适合于集成化的要求，在集成运放的内部，级间都是直接耦合。
差分放大电路是抑制零点漂移最有效的电路结构。
差分放大原理电路
两个输入、两个输出
两管静态工作点相同
理想的情况下，电路结构完全对称
零点漂移的抑制
—５３—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
静态时，ｕｉ１＝ｕｉ２＝０
ｕｏ＝ＶＣ１－ＶＣ２＝０
当温度升高时
!
ＩＣ%!ＶＣ,（两管变化量相等）
ｕｏ＝（ＶＣ１＋$
ＶＣ１）－（ＶＣ２＋$
ＶＣ２）＝０
信号输入
（１）共模信号 ｕｉ１＝ｕｉ２大小相等、极性相同
两管集电极电位呈等量同向变化，所以输出电压为零，即对共模信号没有放大能力。
（２）差模信号 ｕｉ１＝"
ｕｉ２大小相等、极性相反，两管集电极电位一减一增，呈等量异向变化，
ｕｏ＝（ＶＣ１－$ＶＣ１）－（ＶＣ２＋$ＶＣ１）＝－２$
ＶＣ１
即对差模信号有放大能力。
（３）比较输入
ｕｉ１、ｕｉ２大小和极性是任意的。
ｕｉ１ ＝ｕｉｃ＋
１
２ｕｉｄ
ｕｉ２ ＝ｕｉｃ－
１
２ｕ
{
ｉｄ
　　　　
ｕｉｃ＝
１
２ ｕｉ１＋ｕ
( )
ｉｄ
ｕｉｄ ＝ｕｉ１－ｕｉ
{
２
任何一对输入信号都可分解为共模分量和差模分量。
差分放大电路放大两输入信号的差值。
【例１】　ｕｉ１＝１０ｍＶ，ｕｉ２＝６ｍＶ
可分解成：ｕｉ１＝８ｍＶ＋２ｍＶ
ｕｉ２＝８ｍＶ－２ｍＶ
【例２】　ｕｉ１＝２０ｍＶ，ｕｉ２＝１６ｍＶ
可分解成：ｕｉ１＝１８ｍＶ＋２ｍＶ
ｕｉ２＝１８ｍＶ－２ｍＶ
—６３—
典型差分放大电路
ＲＥ的作用：稳定静态工作点，限制每个管子的漂移。
电位器 ＲＰ：起调零作用。
静态分析
在静态时，设 ＩＢ１＝ＩＢ２＝ＩＢ，ＩＣ１＝ＩＣ２＝ＩＣ，忽略阻值很小的 ＲＰ可列出
ＲＢ１ＩＢ＋ＵＢＥ＋２ＲＥＩＥ ＝ＥＥ
上式中前两项较第三项小得多略去，则ＩＣ≈ＩＥ≈
ＥＥ
２ＲＥ
发射极电位　　　 ＶＥ#０
ＩＢ ＝
ＩＣ
β≈
ＥＥ
２βＲＥ
ＵＣＥ ＝ＵＣＣ－ＲＣＩＣ≈ＵＣＣ－
ＥＥＲＣ
２ＲＥ
动态分析
ｕｉ１ ＝ｕｉｃ＋
１
２ｕｉｄ
ｕｉ２ ＝ｕｉｃ－
１
２ｕ
{
ｉｄ
　　　
ｕｉｃ＝
１
２（ｕｉ１＋ｕｉｄ）
ｕｉｄ ＝ｕｉ１－ｕｉ
{
２
—７３—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
Ａｃ＝
ｕｏｃ
ｕｉｃ
＝０
Ａｄ ＝
ｕｏｄ
ｕｉｄ
＝－
βＲＣ
ＲＢ＋ｒｂｅ
当在两管的集电极之间接入负载电阻时
Ａｄ ＝－
βＲ′Ｌ
ＲＢ＋ｒｂｅ
式中Ｒ′Ｌ ＝ＲＣ／／
１
２ＲＬ
两输入端之间的差模输入电阻为ｒｉ＝２（ＲＢ＋ｒｂｅ）
两集电极之间的差模输出电阻为ｒｏ≈２ＲＣ
单端输出时差分电路的差模电压放大倍数为
Ａｄ ＝
ｕｏ１
ｕｉ１－ｕｉ２
＝－１２
βＲＣ
ＲＢ＋ｒｂｅ
（反向输出）
Ａｄ ＝
ｕｏ２
ｕｉ１－ｕｉ２
＝１２
βＲＣ
ＲＢ＋ｒｂｅ
（同相输出）
即：单端输出差分电路的电压放大倍数只有双端输出差分电路的一半。
若电路不完全对称，则 Ａｃ+０，
实际输出电压 ｕｏ＝Ａｃｕｉｃ＋Ａｄｕｉｄ
即共模信号对输出有影响 。
共模抑制比
量差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。
ＫＣＭＲ ＝
Ａｄ
ＡＣ
，ＫＣＭＲ（ｄＢ）＝２０ｌｇ
Ａｄ
ＡＣ
（分贝
ＫＣＭＲ越大，说明差放分辨差模信号的能力越强，而抑制共模信号的能力越强
考点８：互补推挽功率放大电路
功率放大电路的作用：是放大电路的输出级，去推动负载工作。例如使扬声器发声、继电器动作、
仪表指针偏转、电动机旋转等。
对功率放大电路的基本要求
（１）在不失真的情况下能输出尽可能大的功率。
（２）由于功率较大，要求提高效率。
η↑＝负载的交流信号功率／电源供给的直流功率↓
甲类工作状态
—８３—
晶体管在输入信号的整个周期都导通，静态ＩＣ较大，波形好，管耗大效率低。
乙类工作状态
晶体管只在输入信号的半个周期内导通，静态ＩＣ＝０，波形严重失真，管耗小效率高。
甲乙类工作状态
晶体管导通的时间大于半个周期，静态ＩＣ#０，一般功放常采用。
互补对称电路是集成功率放大电路输出级的基本形式。当它通过容量较大的电容与负载耦合
时，由于省去了变压器而被称为无输出变压器（ＯｕｔｐｕｔＴｒａｎｓｆｏｒｍｅｒｌｅｓｓ）电路，简称 ＯＴＬ电路。若互补
对称电路直接与负载相连，输出电容也省去，就成为无输出电容（ＯｕｔｐｕｔＣａｐａｃｉｔｏｒｌｅｓｓ）电路，简称 ＯＣＬ
电路。
ＯＴＬ电路采用单电源供电，ＯＣＬ电路采用双电源供电。
１．ＯＴＬ电路
ＯＴＬ原理电路
ＩＣ１#０，ＩＣ２#０
（１）特点
Ｔ１、Ｔ２的特性一致；
一个ＮＰＮ型、一个ＰＮＰ型
两管均接成射极输出器；
输出端有大电容；
单电源供电。
（２）静态时（ｕｉ＝０）ＶＡ ＝
ＵＣＣ
２
电容两端的电压ｕＣ ＝
ＵＣＣ
２
（３）动态时
—９３—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
设输入端在ＵＣＣ／２直流基础上加入正弦信号。
输入交流信号ｕｉ的正半周
Ｔ１导通、Ｔ２截止；
同时给电容充电
输入交流信号ｕｉ的负半周
Ｔ２导通、Ｔ１截止；
电容放电，相当于电源
若输出电容足够大，其上电压基本保持不变，则负载上得到的交流信号正负半周对称。
（４）交越失真
当输入信号ｕｉ为正弦波时，输出信号在过零前后出现的失真称为交越失真。
交越失真产生的原因
由于晶体管特性存在非线性，
ｕｉ＜死区电压晶体管导通不好。
克服交越失真的措施
采用各种电路以产生有不大的偏流，使静态工作点稍高于截止点，即工作于甲乙类状态。
（５）克服交越失真的ＯＴＬ互补对称放大电路
两个晶体管Ｔ１（ＮＰＮ型）和Ｔ２（ＰＮＰ型）的特性基本相同。
静态时，调节 Ｒ３，使 Ａ点的电位为；
１
２ＵＣＣ
—０４—
输出电容ＣＬ上的电压也等于；
１
２ＵＣＣ
Ｒ１和 Ｄ１、Ｄ２上的压降使两管获得合适的偏压，工作在甲乙类状态。
在输出功率较大时常采用复合管
复合管的构成
方式 １
ｉｂ＝ｉｂ１，
ｉｂ２＝ｉｅ１＝（１＋'１）ｉｂ１，
ｉｃ１＝'１ｉｂ１　，
ｉｃ２＝'２ｉｂ２＝'２（１＋'１）ｉｂ１，
ｉｃ＝ｉｃ１＋ｉｃ２　
＝［
'１＋'２（１＋'１）］ｉｂ１
#'１'２ｉｂ１
方式２
复合管的类型与复合管中第一只管子的类型相同
.
复合管的电流放大系数
'#'１'２
２．ＯＣＬ电路
ＯＣＬ电路需用正负两路电源。其工作原理与ＯＴＬ电路基本相同。
—１４—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
本章总结
１．基本放大电路的静、动态分析是重点中的重点，尤其是直流通路估算法求静态工作点和微变等
效电路分析法求动态参数一定要熟练掌握，灵活运用。
２．共射放大电路和射极输出器的特点。
３．多级放大电路等效为单级放大电路的方法
４．分压式偏置电路稳定静态工作点的原理
５．差分式放大电路抑制零点漂移的原理，共模信号，差模信号，共模抑制比
６．功率放大电路的分类，交越失真及其克服的方法
—２４—
第十六章　 集成运算放大器
本章重点和难点
重点：
理想运放的电压传输特性，理想运放构成的放大电路的分析方法，比例、加法、减法、积分和微分
运算电路，电压比较器
难点：
虚短、虚短的概念
理想运放应用电路分析
考点１：集成运算放大器的基本概念
集成运算放大器是一种具有很高放大倍数的多级直接耦合放大电路。是发展最早、应用最广泛
的一种模拟集成电路。
集成电路 是把整个电路的各个元件以及相互之间的联接同时制造在一块半导体芯片上，组成一
个不可分的整体。
集成电路特点：体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、价格低。
集成运算放大器的特点
１．元器件参数的一致性和对称性好；
２．电阻的阻值受到限制，大电阻常用三极管恒流源代替，电位器需外接；
３．电容的容量受到限制，电感不能集成，故大电容、电感和变压器均需外接；
４．二极管多用三极管的发射结代替。
电路组成框图
输入级：输入电阻高，能减小零点漂移和抑制干扰信号，都采用带恒流源的差分放大器。
—３４—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
ＳＤ，ＲＤ用于预置触发器的初始状态，
工作过程中应处于高电平，对电路工作状态无影响。
当ＣＰ＝０时
Ｒ，Ｓ输入状态不起作用。
触发器状态不变
当 ＣＰ＝１时触发器状态由Ｒ，Ｓ输入状态决定。
触发器的翻转时刻受Ｃ控制（ＣＰ高电平时翻转），而触发器的状态由Ｒ，Ｓ的状态决定。
可控ＲＳ状态表
Ｓ Ｒ Ｑｎ＋１
０ ０ Ｑｎ
０ １ ０
１ ０ １
１ １ 不定
　　ＣＰ高电平时触发器状态由Ｒ、Ｓ确定
Ｑｎ—时钟到来前触发器的状态
Ｑｎ＋１—时钟到来后触发器的状态
【例】　画出可控 Ｒ－Ｓ触发器的输出波形
—０９—
可控 Ｒ－Ｓ状态表
Ｓ Ｒ Ｑｎ＋１
０ ０ Ｑｎ
０ １ ０
１ ０ １
１ １ 不定
　　ＣＰ高电平时触发器状态由Ｒ、Ｓ确定
存在问题：时钟脉冲不能过宽，否则出现空翻现象，即在一个时钟脉冲期间触发器翻转一次以上。
Ｓ Ｒ Ｑｎ＋１
０ ０ Ｑｎ
０ １ ０
１ ０ １
１ １ 不定
　　克服办法：采用 ＪＫ触发器或 Ｄ触发器
３．主从ＪＫ触发器
Ｓ′＝ＪＱ，Ｒ′＝ＫＱ
—１９—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
４．工作原理
从触发器封锁
从触发器状态保持不变。
主触发器打开
主触发器状态由Ｊ、Ｋ决定，接收信号并暂存。
Ｃ
主触发器封锁
状态保持不变
从触发器打开
从触发器的状态取决于主触发器，并保持主、从状态一致，因此称之为主从触发器。
Ｓ′＝ＪＱｎ
Ｒ′＝ＫＱｎ
ＣＰ高电平时主触发器状态由Ｊ、Ｋ决定，从触发器状态不变。
ＣＰ下降沿（—↓— ）触发器翻转（主、从触发器状态一致）。
—２９—
５．ＪＫ触发器的逻辑功能
Ｓ′＝ＪＱｎ，Ｒ′＝ＫＱｎ
Ｓ′ Ｒ′ Ｑｎ＋１
０ ０ Ｑｎ
０ １ ０
１ ０ １
ＪＫ触发器状态表
Ｊ Ｋ Ｑｎ Ｑｎ＋１
０ ０
０
１ }０１Ｑｎ
０ １
０
１ }０００
１ ０
０
１ }１１１
１ １
０
１ }１０ Ｑｎ
ＪＫ触发器状态表
Ｊ Ｋ Ｑｎ＋１
０ ０ Ｑｎ（保持功能）
０ １ ０（置“０”功能）
１ ０ １（置“１”功能）
１ １ Ｑｎ（计数功能）
　　ＳＤ，ＲＤ为直接置 １、置 ０端，不受时钟控制，低电平有效，触发器工作时ＳＤ，ＲＤ应接高电平。
【例】　ＪＫ触发器工作波形
—３９—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
６．Ｄ触发器
ＣＰ上升沿前接收信号，上降沿时触发器翻转，（其Ｑ的状态与Ｄ状态一致；但Ｑ的状态总比Ｄ的
状态变化晚一步，即Ｑｎ＋１＝Ｄｎ；上升沿后输入 Ｄ不再起作用，触发器状态保持。即（不会空翻）
Ｄ触发器状态表
Ｄ Ｑｎ＋１
０ ０
１ １
　　【例】　Ｄ触发器工作波形图
考点２：触发器逻辑功能的转换
１．将ＪＫ触发器转换为 Ｄ触发器
Ｄ触发器状态表
Ｄ Ｑｎ＋１
０ ０
１ １
　　Ｊ　Ｋ触发器状态表
—４９—
Ｊ Ｋ Ｑｎ＋１
０ ０
Ｑｎ
０ １ ０
１ ０ １
１ １ Ｑｎ
　　当Ｊ＝Ｄ，Ｋ＝Ｄ时，两触发器状态相同
２．将ＪＫ触发器转换为 Ｔ触发器
Ｔ触发器状态表
Ｔ Ｑｎ＋１
０ Ｑｎ（保持功能）
１ Ｑｎ（计数功能）
　　 ＪＫ触发器状态表
Ｊ Ｋ Ｑｎ＋１
０ ０ Ｑｎ
０ １ ０
１ ０ １
１ １ Ｑｎ
　　当Ｊ＝Ｋ时，两触发器状态相同
３．将 Ｄ触发器转换为 Ｔ′触发器
Ｔ′触发器仅具有计数功能，即要求来一个ＣＰ，触发器就翻转一次。
—５９—
秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路
Ｄ触发器状态表
Ｄ Ｑｎ＋１
０ ０
１ １
考点３：触发器组成的时序逻辑电路分析
当Ｊ、Ｋ＝１时，具有计数功能，每来一个脉冲触发器就翻转一次．
在电路图中Ｊ、Ｋ悬空表示Ｊ、Ｋ＝１
每个触发器翻转的时间有先后，与计数脉冲不同步
—６９—
【例】　分析下图所示电路，说明是加法计数器还是减法计数器，并画出各输出端 Ｑ的波形，设各
触发器初态均为０．
本章总结
（１）触发器的逻辑功能
（２）触发器逻辑功能的转换
（３）触发器组成的时序逻辑电路分析
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秦曾煌《电工学·电子技术》考点精讲及复习思路