概要信息：

1.	a.单向导通 b.I-V 伏安特性曲线 c.稳压
2.	Ib-->Ic, 
3.!"#
FET	
a.类型：P型、N 型：截形，MOS，增强型
b.原理：电场—>gmUgs(Id)
4.$%&	a.伏安特性 b.原理：应用（虚短、虚短）
	
1.'(
)*+
2.,-
3. /.0/.$	
a.指标：Au、Ri、Ro、频率响应特性（波特图：复频、
相频）
4. 1/.2/.3	
b.指标：Au、Ri、Ro、频率响应特性（波特图：复频、
相频）
45#6	78/9:/;<=<&>
?5@A BC	
D5EF G5HI J5K2	LM/NOPQ
R5PST	UV	D5WXYZ G5[\PST
J5]>^< _5`:abcd
三．基本分析方法：
1.开关模型：导通与否、动态静态电阻（知道如何使用）
2.图解法和小信号等效模型：
静态、动态分析—>计算、频相谱分析
3.理想 OA：
a.电流节点 b.电压叠加
（基本出发点：虚短、虚断）
4.差分放大：
A.概念：共模、差模、共模抑制比
B.对称性、结合电流源
5.功率放大：
类型、交越失真问题、计算效率、极限参数
6.镜像电流源：
a.对称电流源、微电流源
b.计算电流
c.它在放大电路起的作用
7.负反馈电路：
a.判断：瞬时极性法（判断正负反馈）、短路输出电
压法（电压、电流反馈）
b.估算放大倍数(四种 Au)：计算 F 的值、找反馈网络
c. 消除自激震荡：C补偿、RC 补偿